IBM presenta il primo chip al mondo sotto il nanometro

Basato su una rivoluzionaria architettura 3D “nanostack”, il chip di IBM sotto 1 nm è destinato a guidare l’industria dei semiconduttori nel prossimo decennio

YORKTOWN HEIGHTS, NY, 25 giugno 2026  
IBM (NYSE: IBM) ha annunciato oggi un’importante innovazione nel campo dei semiconduttori con la presentazione del primo chip al mondo sotto il nanometro (nm), caratterizzato da una rivoluzionaria architettura di transistor a 0,7 nm, ovvero un nodo a 7 angstrom. Questo risultato segna un punto di svolta per un settore che si confronta con i limiti fisici delle tradizionali tecniche di scaling dei chip. I semiconduttori sono alla base di ambiti strategici che spaziano dalla computazione agli elettrodomestici, dai dispositivi di comunicazione ai sistemi di trasporto fino alle infrastrutture critiche.
Il nuovo chip di IBM sotto 1 nm integra quasi 100 miliardi di transistor su un’area grande quanto un’unghia, quasi raddoppiando la densità rispetto al chip a 2 nm presentato da IBM nel 2021. Grazie a una serie di innovazioni strutturali e nei materiali, tra cui l’innovativa architettura tridimensionale nanostack, la tecnologia dimostra come sia possibile continuare a migliorare le prestazioni e l’efficienza anche quando le dimensioni dei componenti si avvicinano alla scala atomica.
I risultati tecnici indicano che il nuovo chip potrà offrire un significativo salto prestazionale: fino al 50% in più di performance o anche fino al 70% in più di efficienza energetica rispetto ai chip di IBM a 2 nm[1] . Questo progresso consentirà di accelerare le capacità di elaborazione in ambiti quali l’intelligenza artificiale generativa, le infrastrutture cloud e i dispositivi elettronici di nuova generazione.
“L’ultima innovazione di IBM nel campo dei chip segna un momento epocale nell’informatica, spingendo la tecnologia oltre l’era dei nanometri, fino alla scala degli atomi,” ha dichiarato Jay Gambetta, Direttore di IBM Research e IBM Fellow. “Con la nuova architettura nanostack, non ci limitiamo a ridurre le dimensioni dei transistor, ma ridefiniamo il modo in cui i chip vengono progettati per offrire una potenza e un’efficienza energetica senza precedenti. Questa innovazione, prima nel suo genere, rafforza la leadership di IBM nelle tecnologie di nuova generazione e pone le basi per la prossima era dell’informatica.”

Nanostack: una svolta per la progettazione dei chip

Per realizzare questo chip, i ricercatori IBM hanno sviluppato una nuova architettura di transistor denominata “nanostack”, il primo design tridimensionale a nanosheet del settore. Nanostack rappresenta un avanzamento significativo rispetto alla tecnologia nanosheet, attualmente all’avanguardia e originariamente sviluppata da IBM.
L’architettura nanostack prevede la sovrapposizione e l’interconnessione verticale dei transistor, che utilizza l’integrazione sequenziale 3D per aumentare la densità sul chip. Questo approccio consente inoltre l’utilizzo di materiali diversi in ciascun livello sovrapposto, ottimizzando in modo indipendente le prestazioni e l’efficienza energetica di ogni transistor.
La validazione sperimentale dell’architettura nanostack è stata ottenuta attraverso tecniche di bonding dielettrico ultra-sottile nell’integrazione CMOS, la dimostrazione di capacità di ingegnerizzazione a doppio canale e il funzionamento di inverter CMOS con prestazioni di switching conformi alle aspettative. Questi risultati confermano la realizzabilità fisica della tecnologia e la sua capacità di supportare elaborazioni reali.
Inoltre, nuove ricerche presentate al VLSI 2026 hanno dimostrato che l’architettura nanostack consente un miglioramento del 40% nello scaling della memoria SRAM[2], aprendo la strada alla progettazione di chip più efficienti e capaci di sostenere le elevate richieste di banda delle applicazioni di intelligenza artificiale.
Grazie a questa struttura innovativa, la tecnologia logica può per la prima volta estendersi al di sotto del nodo di 1 nm, portando l’industria nell’era dello scaling a livello angstrom, dove le dimensioni si avvicinano a quelle dei singoli atomi. Pur rappresentando oggi i nodi dei transistor una generazione tecnologica più che una misura fisica precisa, la tecnologia a 0,7 nm (7 angstrom) dimostra come sia possibile proseguire nel percorso di miniaturizzazione. Con l’introduzione dell’architettura nanostack, la roadmap dei semiconduttori IBM prevede almeno un altro decennio di innovazione nello scaling.

Una leadership costruita su decenni di innovazione

Questo risultato si inserisce nella lunga tradizione di IBM come leader in ricerca e sviluppo sui semiconduttori. L’azienda è protagonista da decenni nello sviluppo dei chip che alimentano i sistemi di calcolo, dai primi semiconduttori negli anni Sessanta fino al primo chip a 2 nm al mondo. IBM continua a essere all’avanguardia nel campo dei semiconduttori, dell’hardware per l’intelligenza artificiale, dei circuiti logici e dei processori quantistici, contribuendo a plasmare il futuro dell’informatica.
IBM realizza queste attività insieme ai propri partner presso uno dei più avanzati centri di ricerca sui semiconduttori ad Albany, nello Stato di New York, dove sarà presto installato un sistema di litografia ultravioletta estrema ad alta apertura numerica (High NA EUV), fondamentale per il futuro dello scaling. Sviluppata da ASML, questa tecnologia consente una stampa dei circuiti estremamente precisa, abilitando la produzione di chip più piccoli e potenti. IBM collabora con partner come Lam Research Corp. (Nasdaq: LRCX), Tokyo Electron (TEL) e SCREEN Semiconductor Solutions per sviluppare nuovi processi e strumenti High NA EUV che hanno già prodotto dispositivi funzionanti.
IBM ha inoltre recentemente annunciato un progetto per la creazione di Anderon, il primo stabilimento di produzione al mondo interamente dedicato al quantum. Anderon, società indipendente di IBM, valorizzerà le competenze d’eccellenza dell’azienda nei semiconduttori e nel calcolo quantistico, contribuendo a rafforzare la capacità degli Stati Uniti di produrre la maggior parte dei wafer quantistici a livello globale.
[1] S. Reboh et al ” NanoStack Transistor Architecture for CMOS 7A Node and Beyond” VLSI 2025
[2] Chen Zhang et al “Area and Performance of Staggered-Channel Nanostack SRAM Bitcells” VLSI 2026
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